我们都知道半导体工艺越先进越好，用以衡量工艺进步的就是线宽，常说的xxnm工艺就代表这个，这个数字越小就代表晶体管越小，晶体管密度就越大。现在半导体公司已经进军10nm工艺，但面临的物理限制越来越高，半导体工艺提升需要全新的设备。EUV即紫外光刻机就是制程突破10nm及之后的7nm、5nm工艺的关键，现在ASML公司的EUV光刻机正在不断提高产能和可靠性，但距离量产还有一段距离。
EUV要想获得突破，需要不断提升光源强度和可靠性。来自EE Times的报道称，荷兰ASML及TSMC台积电在上周宣布他们的原型机上测试了85W光源，之后很快会提升到125W。ASML之前演示过185W光源的EUV光刻机，并许诺年底前会进一步提高到250W。
现在的EUV光刻机可靠性已经提高到了有70%的工作时间，每天可以处理500-600个晶圆，相比去年的情况已经有很大改善，但这远远不够量产水平。ASML公司EUV项目总监Frits van Hout表示现在距离EUV应该达到的水平还有2-3步。现在出货的EUV光刻机会升级，预计今年底达到应有的水平。
芯片制造商预计会在2018年使用EUV工艺生产芯片，届时ASML的EUV光刻机有助于降低7nm工艺的成本。
虽然EUV工艺确实实现了预定目标，但由于产能和可靠性的问题，该项目已经多次延期，到了5nm及3nm节点，EUV可能还需要一次升级。ASML正为此与相关方讨论具体的配置和时间细节。
值得一提的是，目前在EUV工艺上，TSMC比Intel要积极得多，此前TSMC就表示会在10nm工艺上使用EUV工艺，而Intel表示过就算没有EUV工艺，他们也懂得如何制造芯片。不过如果EUV工艺真的能如期量产，Intel也会在7nm节点上启用EUV工艺。
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