据《日本经济新闻》7月6日报道，韩国三星电子决定进一步投资半导体业务。7月4日，三星宣布向韩国2个工厂投资总额约2万亿日元，增产智能手机等终端使用的闪存。三星不久前在中国也敲定了大型投资计划。在东芝因经营问题陷入混乱的背景下，三星将通过巨额投资扩大与竞争对手的差距，巩固半导体领域的领跑地位。
7月4日，三星在首尔郊外举行了最近正式投产的平泽工厂的产品出货仪式。三星高管强调，“新的挑战从现在开始”，并宣布在2021年之前向这个最新工厂追加投资约1.4万亿日元。
三星将该工厂视为用于存储介质的NAND型闪存的最新生产基地，将量产通过立体叠加存储单元来提高性能的最尖端的三维半导体存储器。有分析认为，平泽工厂目前的产能按直径300毫米的晶圆换算，达到每月20万片。通过追加投资，到2021年产能有望翻一番。累计投资额预计将达到3万亿日元规模，三星表示，作为单一的生产工厂，“平泽将达到全球最大规模”。
同时，三星还宣布向现有的华城工厂投资6千亿日元。生产品类方面尚未确定。
2017年春季以后，三星一直在强化对半导体业务的积极姿态。5月敲定了向中国西安工厂投资约1万亿日元的计划。此外还将向美国德克萨斯州的大规模集成电路(LSI)工厂投资15亿美元。2017年春季以后敲定的投资总额超过3万亿日元。
三星认为半导体业务的繁荣是击败竞争对手的良机，因此不断展开积极投资。在闪存方面，指标产品的批发价格比1年前上涨5成以上。除了用于智能手机的大容量闪存之外，数据中心的闪存需求也很强劲，供应短缺迹象明显。三星半导体部门2017年1~3月营业利润达到6.3万亿韩元，按季度计算创出历史新高。
据调查公司IHS Technology统计，在闪存领域，三星的全球份额达到35% ，居首位。有观点认为，在最尖端的“64层”三维半导体存储器方面，三星量产时的成品率比份额居第2位的东芝更高，某证券分析师表示，“通过量产技术，(三星与东芝)拉开了约1年的差距”。此外，三星还计划趁东芝忙于出售存储器业务时扩大份额，加快新一代“96层”半导体存储器的开发。