在中国厂商没发展起来之前，NAND闪存产业还有几年好日子可过，今年缺货、涨价也让厂商有资金和需求去提高产能，SK Hynix前几天才宣布投资2.2万亿韩元升级清州市工厂。除此之外，SK Hynix还将推出新一代3D NAND闪存，堆栈层数将从目前的36、48层提升到72层，一举超过三星、美光及东芝新一代64层堆栈3D闪存，预计在明年下半年正式量产。
3D闪存相比普通2D闪存具备很多优势，包括性能、可靠性之外，最重要的就是它可以提高闪存容量，进一步降低成本，理论上堆栈层数越多，3D闪存容量就越大，优势也越明显。之前在超能课堂(36)：3D NAND闪存是什么，引中国厂商竞折腰？一文中，我们也简单介绍了什么是3D闪存及四大豪门当前主要的3D闪存规格。
2016年上半年各NAND厂商代表性的3D闪存规格及堆栈层数
三星发展3D NAND闪存最早，目前已经推出了三代V-NAND闪存，最高堆栈层数是48层，下一代3D闪存是64层堆栈，今年底开始量产。东芝/西数则是BiCS类型的3D闪存，堆栈层数是48层，下一代也是64层堆栈，美光/Intel的3D闪存进度最晚，堆栈层数也是32层，下一代则会提升到64层堆栈，美光在新加波的10X晶圆厂年底将会量产64层堆栈闪存。
SK hynix的3D闪存发展了两代了，32层堆栈的算是实验性的，今年11月份正式量产48层堆栈的3D闪存。不过根据韩联社的消息，SK Hynix的下一代3D闪存也在路上了，2017年上半年完成芯片设计，2017年下半年正式量产，生产厂就是去年才建成的利川市M14晶圆厂。
从层数上来看，SK Hynix如果明年真的能顺利量产72层3D闪存，那么他们的堆栈能力就超过了其他三家，后者明年的3D闪存还是64层堆栈的，不过三星此前已经提到了96层堆栈的3D闪存，早已在研发中，只是尚未有确定的量产时间表。