继三星发布业界第一款8GB LPDDR4内存后，SK Hynix海力士相隔两个月后的今天终于跟上了三星的步伐，开始出货适用于智能移动设备的8GB LPDDR4内存，但是21nm制作工艺远落后于三星所使用的18nm。
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SK Hynix的8GB LPDDR4内存是由4颗16Gb（2GB）内存颗粒整合封装而成的，尺寸大小为15*15mm，采用FPGA封装，有366 ball和376 ball两种规格。
其中前者366 ball可以与SoC、UFS闪存堆叠整合封装成一个芯片，减少占用手机PCB寸土寸金的面积，类似于苹果iPhone手机上一贯做法。
两者传输速率是3733MT/S，换算成频率就是1866MHz，作为对比，三星家的8GB LPDDR4性能更为优越些，4266MT/S(2133MHz)。
数据来源anandtech
目前366ball规格的已经面向厂商供货，能使用更低电压的376ball则需要等到明年第一季度才开始供应。
看来假以时日，我们很快就能看到搭载了8GB内存的手机了，6GB可能已经满足不了人们日益增长的应用需求，尤其是将来的4K显示、VR应用上。