半导体制造工艺是集成电路产业的核心，未来摩尔定律是否还能主宰产业发展就得看半导体工艺是否能在10nm以下的工艺继续突破了，而在这个问题上，荷兰ASML公司的EUV光刻机何时成熟就是个关键了。上周ASML公司宣布斥资20亿美元入股卡尔蔡司公司，双方将合作研发EUV光学系统， 只不过相关成品至少要到2024年才能问世。
ASML公布的工艺路线图，EUV工艺将在7nm节点开始启用
先说说ASML入股蔡司的——ASML公司将以现金11亿美元收购卡尔蔡司SMT子公司24.9%的股份，此外还将投入大笔研发资金，首笔一次性投入是2.44亿美元，之后6年将投入6亿美元，这次合作预计投入将近20亿美元，对ASML来说也是一大笔投入了。
双方合作的成果就是将推出数值孔径NA不低于0.5的EUV光刻系统，不过这款产品离问世还早，至少要到2024年才能量产。当然，新一代光刻机的好处也很多，目前全球先进的半导体特征尺寸约为35nm，第一代EUV光刻机数值孔径是0.33，特征尺寸缩小到了13nm，而0.5倍数值孔径的EUV将把印刷尺寸进一步缩小到8nm。
光刻机是半导体生产设备中非常重要的一部分，EUV关乎未来半导体工艺的发展，而这个重担落在了ASML公司身上，他们是全球最重要的光刻机厂商了，Intel、三星、TSMC等晶圆公司的光刻机都是购买自ASML公司。
ASML公司目前的EUV光刻机是NXE:3400B型号，预计明年出货，产能是每小时125片晶圆，公差不大于3nm。
根据该公司公告，已经有四家逻辑芯片、两家存储芯片厂商预计会在2018年企业0.33孔径的EUV系统。
未来的0.5倍孔径EUV系统产能将提高到每小时185片晶圆面，公差进一步减少到2nm，而在此之前ASML希望能把产能提升到每小时145片晶圆。