中国发展自己的半导体产业已经不是秘密，中央及地方政府为了扶植国产公司，不惜投入巨资建设晶圆厂。除了外来的Intel、三星之外，新芯科技（XMC）已经在武汉开工建设12寸晶圆厂，计划耗资240亿美元，主要生产存储芯片，初期是NAND及3D NAND闪存。虽然三星、东芝等公司在3D闪存上已经领跑，但国内公司追赶的很快，预计2018年就能量产48层堆栈的3D闪存。
大陆已有或在建的存储芯片厂分布图
在众多已经或者即将上马的存储芯片厂中，武汉新芯主导的建厂计划是国家级项目，他们争取做国内最大、最先进的存储芯片公司。国内发展半导体技术不缺钱也不缺市场，但技术和人才还需要积累，新芯科技的NAND技术来源是飞索半导体（Spansion），双方几年前就开始合作了，新芯科技因此掌握了制造2D NAND闪存的浮栅极及制造3D NAND闪存的CTF技术。
现在的问题是，新芯科技的技术水平到底如何？此前有消息称新芯与飞索实验室研发的3D NAND闪存只是10层堆栈的，因此很多业界分析师并不好看新芯科技的前景，认为三星、东芝研发3D NAND已经10多年了，中国公司要开发3D NAND闪存面临很多困难。
当然，有不看好的就有看好的，巴伦周刊日前发文称武汉新芯科技已经得到了飞索公司的技术授权，预计2017年会认证48层堆栈的3D NAND闪存，2018年正式量产。
48层堆栈是什么概念？此前小编在3D NAND闪存是什么的超能课堂中统计过三星、东芝及Intel公司的3D NAND闪存技术，其中三星今年量产的第三代V-NAND闪存就是48层堆栈的，东芝、SK Hynix最新的3D NAND也是48层堆栈的，不过要等到今年才能量产。
换句话说，如果新芯科技真的能在2018年量产48层3D NAND闪存，那么距离国际先进水平差的并不远，大约落后一两年的样子，这已经很不错了。
当然，2年后三星、东芝的3D NAND闪存及技术也会继续升级，技术实力最强的三星已经在研发64层甚至96层堆栈的3D NAND闪存了，只不过3D NAND也不可能是无限堆栈的，96层堆栈在制造上也面临很多难题，能不能在2018年推出还是个未知数，中国公司在这一领域依然有机会追赶。