由于半导体工艺越来越复杂，Intel的“Tick-Tock”钟摆战略已经放缓，从2年升级一次工艺变成了3年一次，10nm工艺已经延后到了2017年下半年。Intel脚步放慢，三星、TSMC可算是得到超越的机会了，原本跟在Intel后面的它们发力新一代工艺，不仅10nm工艺量产时间超过Intel，下下代的7nm节点上也在摩拳擦掌，这两家争着在明年抢先量产，而三星更是第一家引入量产型EUV光刻机，后者是制造7nm及5nm处理器的关键设备。
先进半导体制造工艺越来越困难，原有的技术手段已经不适用，制造10nm以下的晶体管需要极其复杂的工艺和设备，ASML的EUV光刻机就是其中的关键，EUV代表极紫外光，波长193nm 13nm（波长越短，光刻分辨率越高，晶体管就越小），可用于制造10nm及以下工艺的芯片，但EUV光刻机研发了这么多年，进度并不如预期那么顺利，此前乐观的预测甚至说14nm节点就能用上EUV技术，但现实很骨感，10nm节点都注定没戏了。
三星、TSMC都想抢在Intel之前量产7nm工艺，此前TSMC准备在7nm节点启用EUV工艺，并耗资引进EUV光刻机，但目前的情况来看TSMC已经把EUV量产放在了5nm工艺上。现在三星接过了EUV抢先的势头，ASML公司CEO已经确认三星上周购买了EUV光刻机NXE3400，这将是EUV光刻机的正式量产型号。
从设备安装到开始生产，至少要2-3个季度，这意味着三星的7nm工艺会争取在明年推出，按照之前的发展过程来看，明年底三星可能会宣布量产7nm工艺——虽然实际上可能只是小批量生产，真正的大规模量产可能还要等到2018年之后。