【赛迪网讯】据国外媒体报道，市场研究公司IC Insights当地时间周二表示，全球最大内存芯片厂商三星电子今年将对芯片业务投资125亿美元(约合人民币864亿元)，是投资金额最高的芯片厂商。

据IC Insights称，今年三星在半导体领域的资本支出将达到125亿美元，比去年高出11%。三星将完成位于平泽市的全球最大芯片生产基地的建设，目标是从今年年中起量产V-NAND闪存芯片。

三星电子去年1月份表示，2016年该公司资本支出为13.2万亿韩元(约合人民币792亿元)。

三星在韩国的竞争对手SK海力士今年将投资7万亿韩元(约合人民币420亿元)，是位居三星电子、英特尔和台积电之后投资金额第四高的芯片厂商。去年SK海力士投资额为6.5万亿韩元(约合人民币390亿元)，比2015年降低14%。

三星电子计划今年提高3D NAND闪存芯片产量，减少对DRAM内存的投资。三星电子还将投资建设利川市M14芯片制造厂用来生产3D NAND闪存芯片的无尘室。

今年早些时候，SK海力士斥资6200亿韩元(约合人民币37.2亿元)收购了晶圆片厂商LG Siltron 51%的股份。

全球最大处理器厂商英特尔预计今年将投资120亿美元(约合人民币830亿元)，比去年增长25%。台积电计划今年投资100亿美元(约合人民币691亿元)，比去年下跌2%。

业内观察人士预测，今年DRAM内存和NAND闪存芯片价格将继续上涨。尤金投资证券公司分析师Lee Jeong说，“随着三星电子和中国智能手机厂商发布新设备，移动DRAM内存芯片需求今年将继续增长。今年第三季度前，DRAM内存芯片供应紧张将导致价格上涨。”