东芝日前发布了全球首个基于 QLC (四比特单元) BiCS 架构的 3D NAND 闪存芯片，64 层堆叠封装，单颗容量可以做到 768Gb (32GB)，可以带来容量更大、成本更低的 SSD 产品。
不过随着 NAND 闪存技术的发展，寿命和耐用性一直是个让人忧虑的问题。
NAND 闪存目前已经发展出了四种形态：SLC 单比特单元，性能最好，寿命最长，但成本也最高；MLC 双比特单元，性能、寿命、成本比较均衡，目前主要用于高端和企业级产品；TLC 三比特单元，成本低，容量大，但寿命越来越短；QLC 四比特单元，自然延续了这一趋势。
事实上，经过厂商不断的改进，TLC 技术已经十分成熟，无论性能还是寿命都可以满足日常消费甚至企业级应用，目前几乎绝大多数消费级 SSD 都在用它。
QLC 闪存由于采用了四比特设计，每个单元内都有多达 16 种不同的电压状态，相比 TLC 又翻了一番，而且又不能把单元面积做的太大，因此控制难度急剧增大。
另外为了避免读写错误，主控搭配 QLC 闪存时也必须支持更高级的 ECC，东芝就发展了自己的 QSBC 纠错技术，号称比 TLC 设备上常用的 LDPC 更加先进。
最关键的来了：东芝宣称，他们的 QLC NAND 拥有多达 1000 次左右的P/E编程擦写循环，大大高于业界此前几年预计的 100-150 次，几乎已经和 TLC 闪存相当了！
这就意味着，QLC 闪存的寿命根本不是事儿，完全可以和 TLC 一样耐用！
东芝具体是怎么做到的暂未披露，应当是有某种全新的秘密技术，而且很可能已经申请了专利。
动辄几个 TB 还耐用、便宜的 QLC SSD，想想都挺美的……
四种闪存类型各自不同的电压状态