东芝与西数今天一同宣布了新一代BiCS 4技术，用这个技术就可以打造出96堆叠的3D NAND闪存，并且说用该技术不但可以做TLC闪存，还会支持QLC，然而实际上QLC闪存用现在的64层堆叠BiCS 3就可以打造出来，东芝今天就宣布世界上首款走出实验室投入实用的QLC闪存。
东芝的16 Die堆栈NAND闪存
东芝的QLC BiCS闪存采用64层堆叠，拥有目前最高的Die容量768Gb（96GB），现在东芝的TLC闪存Die容量是512Gb（64GB），QLC的Die容量比TLC足足提升了50%，再配合东芝的16 Die堆栈技术的话，就能做出单颗容量高达1.5TB的闪存，这是目前行业内所能造出最大容量的闪存。
现在的TCL每个Cell单元可以储存3个数据，有23=8个状态，而QLC则是4bit MLC，每个Cell单元能存储4位数据，有24=16个状态，因此QLC闪存的容量更大QLC闪存的容量更大，成本更低，但4位数据带来的挑战也很大，更精确的电压控制、更复杂的干扰等问题都会影响QLC闪存的性能及可靠性，现在东芝用自己先进的电路设计和3D闪存技术克服了这一技术难关，成功打造了世界上首个QLC 3D闪存。
东芝的QLC其实在6月初就开始给SSD厂商与SSD主控厂送样评估与开发了，并且会在今年8月7日到10日的加利福尼亚州圣克拉拉举行的Flash闪存峰会上展出样品。
QLC闪存未来也要经过多次考验，大家接受这种闪存可能有个过程，大家对QLC闪存有什么想要了解的，可以加小超哥（id:9501417）咨询。