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2年前Intel、美光发布的3D XPpoint闪存打破了存储市场的平静，凭借1000倍的性能、可靠性以及10倍的存储密度提升被称为黑科技闪存。只是3D XPpoint闪存在上市进度上不尽如人意，Intel基于3D XPpint闪存推出的消费级及企业级Optane硬盘虽然不乏亮点，但与当初的宣传相比实在有点不够看。
Intel要用3D XPpoint闪存革了NAND闪存的命，市场一哥三星自然也不能坐视不管，他们也有自己的杀手锏——Z-SSD系列，它将使用全新的Z-NAND闪存，硬盘容量可达4TB。
实际上Intel的3D XPpoint公布没多久，三星就在去年的FMS闪存会议上公开过Z-SSD系列硬盘，号称性能超越了现有NAND闪存极限，不过三星没有给出具体指标，只说其性能比PM963更强，延迟低了4倍，读取速度是后者的1.6倍。
当时宣传资料说Z-SSD系列会使用第四代V-NAND，也就是64层堆栈的V-NAND闪存，不过这种闪存跟普通NAND闪存也有不同，三星用了Z-NAND的新名字命名，它的特性介于DRAM内存和NAND闪存之间，也就是说性能比NAND闪存更强，但比DRAM又有非易失性的特点，听上去就跟Intel的3D XPoint闪存很相似。
三星去年公布的Z-SSD并没有具体实物，Anandtech网站报道称在Cloud Expo欧洲展上，三星展示了一款Z-SSD硬盘，如上图所示。这款硬盘使用的是PCI-E 3.0 x4接口，容量800GB，连续读写速度可达3.2GB/s，随机读写可达75万、16万IOPS，延迟（原文推测具体是指读取延迟）比NVMe硬盘低了70%，这可能是得益于新的Z-NAND闪存，也可能是因为新的主控。
他们从三星处得知Z-SSD硬盘具备比普通NAND硬盘高得多的耐用性，特别是每cell单元存储更少的数据时——这里大概是说Z-SSD正常可能也是TLC（3bit per cell）类型的，但也可以使用MLC类型（2bit per cell），这时候的使用寿命会更高。
至于这个全新的Z-NAND闪存，三星还是没有公布具体细节，但综合此前的消息来看，Z-NAND闪存应该是在V-NAND闪存上进行结构改进的产物，官方表示它有独特的电路设计，配套的主控也是改进过的，所以性能比普通NAND闪存好得多，延迟低得多。
三星到Z-NAND闪存显然有跟Intel 3D XPoint闪存叫板的资格，至于Z-NAND闪存是不是也跟后者一样是全新技术就不好说了，因为Intel迄今也没有公布过3D XPoint闪存原理，之前分析认为的PCM相变闪存等说法只是猜测。
三星表态Z-SSD系列硬盘容量可达2TB、4TB，只不过目前展示这款容量还是800GB的，不过算上OP空间，它实际上很可能是1TB容量的。作为对比的是，Intel在消费级、企业级提供的Optane硬盘目前分别是16-32GB、375GB，至少在容量上三星的Z-NAND闪存会胜出。