可能很多人都不知道我们手上的智能手机摄像头出至索尼半导体之手，在2016年在日本熊本地区曾经发生过地震，导致主要生产数码相机、影像传感器的索尼半导体制造公司熊本技术中心一度停摆，全球高端智能手机摄像头模块一度紧缺，甚至有的厂商面临无摄像头可用的窘境，可以在看出索尼半导体生产的摄像头传感器举足轻重的地位。今天索尼宣布成功制造出全球第一款融合了DRAM缓存的CMOS堆栈式传感器，实现了1/120秒内读取图像，减少运动中物体的畸变，实现在FHD分辨率下1000fps的超级慢动作拍摄。
索尼应该是延续了在上一年发布的RX100 IV黑卡数码相机做法，在1英寸Exmor RS CMOS堆栈式传感器集成了DRAM存储芯片，大大提高了图片数据读取速度。现在索尼半导体也能在1/2.3寸CMOS堆栈式传感器上集成了DRAM着实不容易。
3 layer式CMOS传感器
Exmor RS CMOS堆栈式传感器使用了DRAM缓存，可以提高电子滚动快门的速度，获得类似相机机械快门的稳定效果，在1/120秒内获取到数码图像，比起以前的产品速度提高了4倍，同时还能够降低手机拍摄时候纯电子滚动快门带来的果冻效应，减少了焦平面的扭曲，使得运动画面不容易变形。
快门速度提高有利于减少图像畸变
此外集成DRAM缓存的另一个好处在于支持超级慢动作视频拍摄，在1920*1080分辨率下实现了1000fps拍摄，是以往IMX318的8倍，而iPhone 7也仅仅支持到240fps，因此这个数据已经可以媲美很多专业级别的摄像机。
据传闻，这项新技术将会出现在索尼上半年发布的新旗舰机型上，摄像头模块型号为IMX400。