高通周四在一次发布会上首次推出了第四代超快速充电技术 - Quick Charge 4。它将于 2017 年上半年应用到智能手机新产品当中。高通公司产品管理高级总监 Everett Roach 在 Snapdragon 技术峰会上表示，Quick Charge 4 仅需充电 5 分钟将就可以提供长达 5 小时的电池续航，Quick Charge 4 充电功能将集成到高通下一代移动处理器当中，包括今天发布的高通骁龙 Snapdragon 835 芯片。
随着手机和平板电脑变得越来越大，性能需求越来越高，电池寿命一直是用户关注的重点。高通在一项研究中发现，快速充电功能已成为 61% 手机买家首要考虑的指标。
Quick Charge 4 快速充电功能使用高通智能协商最佳电压（INOV）算法，该算法管理设备通过充电电缆请求的电量。Quick Charge 4 其它功能还包括热管理，以确手机或平板电脑不会在充电过热，三星 Galaxy Note 7 就是在此问题上栽了跟头。
高通表示，使用 Snapdragon 835 的手机将获得三级电流和四级电压保护，以防止过热。Quick Charge 4 比高通上一代快速充电技术缩短 30% 的充电时间，电池效率提高 30%。另外和上一代技术相比，Quick Charge 4 也将让手机温度降低高达 5 摄氏度。
Quick Charge 4 不仅局限于智能手机，Quick Charge 4 能够在几分钟内让平板电脑，VR 耳机和无人机获得充足动力。目前，超过 6 亿个设备支持快速充电。
