在前几天发布的初期财报数据中，三星Q3季度虽然面临营收下滑5%的困境，但盈利同比增长6%，这次移动部门是没啥指望了，让三星大赚特赚的是半导体，不断涨价的内存、闪存就是大功臣。今年智能手机内存、闪存容量不断增加，导致市场供应吃紧进而涨价，三星也瞅准了机会在年底量产第四代V-NAND闪存，64层堆栈，届时韩国的华城、中国的西安工厂都将是主产地。
中国西安的三星工厂也将是未来64层堆栈3D闪存的主产地
在3D闪存方面，三星的V-NAND闪存量产时间最早，领先SK Hynix、东芝、美光、Intel至少两年时间，现在已经发展到了第三代，堆栈层数48层，而美光、Intel、SK Hynix等公司的3D闪存不过24、36层堆栈，东芝闪迪系的BiCS闪存起点很高，直接上48层堆栈，但量产时间要等到明年。
今年8月份三星就曝光了64层堆栈的V-NAND闪存了，TLC类型，核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。
根据三星最新的规划，64层V-NAND闪存预计会在今年底量产，韩国京畿道声的华城市工厂已经开始准备生产了。此外，三星在中国西安的晶圆厂也会量产64层V-NAND闪存，去年发布950 Pro时三星就提到西安工厂是最早量产48层堆栈3D闪存的工厂，这次64层堆栈闪存量产计划中，西安工厂也会是主产地之一。
三星还在韩国平泽市建设新的工厂，今年12月份将完成主体建筑施工，最快明年4月份就能生产，这比预期的时间提前了三个月。