据外媒报道，近日美国劳伦斯伯克利国家实验室的研究小组成功打破了物理极限，研制出1nm制程工艺的晶体管。此前，外界主流制程工艺为14nm，许多芯片厂商已经着手开始研制7nm制程工艺芯片。此次1nm晶体管的问世，或许可以将手机芯片的发展再次向前推动一步。
1nm晶体管研制成功：未来芯片超乎你想象（图片来自于softpedia）
这款1nm晶体管是由纳米碳管和二硫化钼制作而成。二硫化钼将担起原本半导体的职责，而纳米碳管则负责控制逻辑门中电子的流向。根据芯片工艺技术可知，同样体积大小的芯片上晶体管如果越小，就能集成更多数量的晶体管，处理器的性能也会得到进一步的提升。
1nm晶体管技术对于芯片厂商来说非常有意义，虽然实现商用化还需要很长时间，但这足以让未来的智能手机处理速度更快并且待机时间更长。
上个月底台积电在一次内部会议上公开了一份工艺的线路图。台积电10nm制程工艺的芯片将在今年年底投入量产，而7nm制程工艺芯片最早会在明年4月进行试产。对于台积电来说，7nm制程工艺的生产时间要比其他竞争对手早很多，据说英特尔的第一款7nm芯片要等到2022年。
据知情人士透露，10nm工艺的芯片面积将比目前的16FF 减小50%，但性能提升50%，耗电减少40%。而7nm制程工艺芯片的晶体管密度将提升163%.有业内人士预计在1V电压下，CPU的时钟频率就能冲到3.8GHz，同时温度上限提升至150度。